Книги становятся всё более электронными

10 июн, 2008 | adm | Оставить комментарий - 0 -
Компания Seiko Epson создала прототип электронной книги толщиной всего в 3 мм и весом в 57 г.
Книга изготовлена с применением технологии Е Ink. а также фирменной разработки Seiko Epson — тонкоплёночного экрана на базе низкотемпературного поликристаллического кремния. Технология Е Ink предполагает использование в структуре дисплея микроскопических капсул, заполненных чёрными и белыми частицами. В зависимости от поданного сигнала частицы того или иного цвета мигрируют к поверхности, формируя картинку- При этом энергия затрачивается только а момент смены изображения, а сама картинка практически не отличается от напечатанной.

» Читать дальше

Память третьего поколения. Часть 4

10 июн, 2008 | adm | Оставить комментарий - 0 -
Количество вариантов форм-факторов памяти DDR3 довольно велико: Registered DIMM, Unbuffered DIMM, SO-DIMM, microDIMM, FB-DIMM и SO-DIMM (16 бит / 32 бит). На сегодняшний день наиболее распространены планки DDR3 объемом 1 Гбайт. Теоретически же емкость одного модуля DDR3 может достигать 8 Гбайт (по другим данным, 32 Гбайт, хоть это скорее из области фантастики). Мобильные ПК, в которых встречаются модули DDR3 SO-DIMM, обходятся емкостями 512 Мбайт и пока в массе своей большими объемами оперативной памяти DDR3 не блещут.
В дальнейшем, по мере повсеместного внедрения нового стандарта в компьютеры пользователей, объем одной планки памяти составит 4 Гбайт - это вполне достижимая отметка. Здесь, кстати, отмечу, что изначально планировалось уменьшить количество слотов DDR3 с четырех до двух (ибо новые модули более емкие). Однако, учитывая постепенное снижение стоимости этой памяти и тот факт, что большинство юзверей предпочитают регулярно осуществлять апгрейд системы, типичная материнка все же осталась при прежнем количестве слотов расширения.

» Читать дальше

Память третьего поколения. Часть 3

10 июн, 2008 | adm | Оставить комментарий - 0 -
Настоящих энтузиастов память DDR3 привлекает уже сейчас, поскольку обладает приличным разгонным потенциалом: наиболее распространенные цели оверклокеров - от 1800 МГц и выше. Здесь, правда, как и в случае с DDR2, все относительно. Рядовая, или, как ее еще принято называть, «бюджетная», память (пальцем на конкретные бренды показывать не будем, всем все и так понятно) не слишком-то приспособлена для разгона - более 1400 МГц (даже на очень хорошей матери) из нее не выжмешь. Кроме того, при осуществлении разгона DDR3 приспустить и без того слабо натянутые поводья для новоявленных вороных коней приходится в любом случае (скажем, до 8-8-8-28, а часто и выше). Получается, что «бюджетные» DDR3-модули - большое зло не только для кошелька но и для общей производительности подсистемы памяти вашего ПК.

» Читать дальше

Память третьего поколения. Часть 2

10 июн, 2008 | adm | Оставить комментарий - 0 -
Разберем основные нововведения DDR3. Первое, что подверглось изменениям - это архитектура памяти (без этого новых высот не покорить). Строение SDRAM DDR3 позволяет достичь пропускной способности до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт (для сравнения: у SDRAM эта величина составляет всего 100 Мбит/с на контакт). Вообще по своей сути архитектура DDR3 во многом схожа с DDR2, изменились цепи предварительной выборки (упреждающей выборки) данных (так называемый prefetch) и дизайн шин I/O. Таким образом, память DDR3 для каждой операции чтения / записи обеспечивает доступ к восьми группам данных DRAM, мультиплексирующихся (уплотняющихся) по контактам ввода/вывода (благодаря двум различным опорным генераторам) на частоте, в четыре раза больше тактовой.

» Читать дальше

| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | Вперед »