Память третьего поколения. Часть 3
10 Jun, 2008 | adm
Настоящих энтузиастов память DDR3 привлекает уже сейчас, поскольку обладает приличным разгонным потенциалом: наиболее распространенные цели оверклокеров - от 1800 МГц и выше. Здесь, правда, как и в случае с DDR2, все относительно. Рядовая, или, как ее еще принято называть, «бюджетная», память (пальцем на конкретные бренды показывать не будем, всем все и так понятно) не слишком-то приспособлена для разгона - более 1400 МГц (даже на очень хорошей матери) из нее не выжмешь. Кроме того, при осуществлении разгона DDR3 приспустить и без того слабо натянутые поводья для новоявленных вороных коней приходится в любом случае (скажем, до 8-8-8-28, а часто и выше). Получается, что «бюджетные» DDR3-модули - большое зло не только для кошелька но и для общей производительности подсистемы памяти вашего ПК.
Замечу, что вышеописанные проблемы и, мягко говоря, завышенная цена на новый стандарт памяти - наиболее существенные причины для отказа от покупки DDR3. В остальном же возможности новых модулей заслуживают некоторого внимания.
Помимо улучшений энергопотребления память DDR3 имеет 8-битный буфер предварительной выборки данных (prefetch buffer). Для сравнения- у DDR2 он 4-битный, а у планок первого поколения памяти так вообще 2-битный. Буфер предварительной выборки данных ответственен за кэширование информации, соответственно, чем больше его объем, тем больше потенциальная пропускная способность модуля памяти - в этом ключевая особенность нового стандарта (а отсюда и возможность увеличения частот, и улучшенные возможности разгона). В результате разрядность буфера предвыборки в очередной раз удвоилась, в то время как сами ячейки памяти по-прежнему функционируют на той же частоте, что и в обыкновенной SDR- и DDR-памяти Именно благодаря увеличению разрядности буферов и расширению пропускной способности шины была достигнута небывалая скорость их взаимодействия с ячейками памяти.
Что же касается форм-фактора памяти DDR3 то здесь необходимо отметить, что, хоть новые модули для деск-топных ПК и обладают 240-контактной структурой (той же, что используется в DDR2), из-за измененного расположения ключей DIMM-планки нового поколения со старыми гнездами несовместимы. Причина нежелания разработчиков стандарта DDR3 сделать соответствующие модули подходящими к старым слотам связана отнюдь не с физической несовместимостью контактов (это при желании можно было бы преодолеть), а скорее с разницей в напряжении питания разных стандартов оперативной памяти.
Замечу, что вышеописанные проблемы и, мягко говоря, завышенная цена на новый стандарт памяти - наиболее существенные причины для отказа от покупки DDR3. В остальном же возможности новых модулей заслуживают некоторого внимания.
Помимо улучшений энергопотребления память DDR3 имеет 8-битный буфер предварительной выборки данных (prefetch buffer). Для сравнения- у DDR2 он 4-битный, а у планок первого поколения памяти так вообще 2-битный. Буфер предварительной выборки данных ответственен за кэширование информации, соответственно, чем больше его объем, тем больше потенциальная пропускная способность модуля памяти - в этом ключевая особенность нового стандарта (а отсюда и возможность увеличения частот, и улучшенные возможности разгона). В результате разрядность буфера предвыборки в очередной раз удвоилась, в то время как сами ячейки памяти по-прежнему функционируют на той же частоте, что и в обыкновенной SDR- и DDR-памяти Именно благодаря увеличению разрядности буферов и расширению пропускной способности шины была достигнута небывалая скорость их взаимодействия с ячейками памяти.
Что же касается форм-фактора памяти DDR3 то здесь необходимо отметить, что, хоть новые модули для деск-топных ПК и обладают 240-контактной структурой (той же, что используется в DDR2), из-за измененного расположения ключей DIMM-планки нового поколения со старыми гнездами несовместимы. Причина нежелания разработчиков стандарта DDR3 сделать соответствующие модули подходящими к старым слотам связана отнюдь не с физической несовместимостью контактов (это при желании можно было бы преодолеть), а скорее с разницей в напряжении питания разных стандартов оперативной памяти.